相比之下,SK海力士明年初才会量产18nm DRAM,而美光还停留在前往20nm的路上。
另一方面,随着半导体技术的日益复杂,工艺进步的空间似乎越来越小。CPU处理器从20nm来到了16/14nm,NAND闪存则从20nm走到了16/15nm,DRAM内存仅仅从20nm变到18nm,是不是停滞了?
显然非也。三星20nn DRAM工艺通过双重曝光技术、采用蜂窝状结构,将单元密度提升了多达70%,18nm上则会进一步使用四重曝光技术,每一次电路蚀刻都要进行3-4次曝光,并继续改进结构密度,整体效能可提升至少20%。
而在市场方面,随着新工艺的到来、产能的扩大,以及PC需求的下降、收集需求的增长减缓,内存价格将在今年出现大幅度下滑,下半年至少会降20-30%,最多可达40%。三星18nm加入战局,必然会进一步刺激价格走低。